近年來,綠色節(jié)能已成為發(fā)展的主題。當今世界不斷尋求更高效、更節(jié)能的光源來替代傳統(tǒng)的光源。LED光源是最好的選擇,其次是近年來高亮度LED在照明中的應用。繼續(xù)快速擴張。在LED制造中引入了激光晶圓切割工藝,使得LED背光在手機、電視和觸摸屏上得到了廣泛的應用,白色LED在照明領域的應用也最為激動人心。
激光切片LED的劃線線比傳統(tǒng)的機械劃線線窄得多,大大提高了材料利用率,提高了輸出效率。此外,激光加工是一種非接觸加工。切片使晶圓微裂紋等損傷變小,晶圓顆粒更緊密,輸出效率高,生產率高,成品LED器件可靠性提高。
LED激光切割功能
單晶藍寶石(sapphire)和氮化鎵(GaN)是硬而脆的材料(抗拉強度接近鋼),因此很難切割成單個的LED器件。傳統(tǒng)的機械鋸片在切割這些材料時,容易造成晶片剝落、微裂紋、分層等損傷,所以LED晶片是用鋸片切割的,各單體之間必須留有較寬的寬度,以避免開裂。LED器件的損傷,大大降低了LED晶片的效率。
激光加工是非接觸加工。激光切割是傳統(tǒng)機械鋸片切割的一種替代,其切割縫很小。聚焦的激光光斑作用于晶圓片表面,使材料迅速汽化,并在LED的活動區(qū)域之間制造出大量的材料。微小的切割可以在有限的晶圓片上切割更多的led。激光切割特別適用于砷化鎵(GaAs)等脆性復合半導體晶片材料。激光加工的LED晶片,典型的切割深度是襯底的厚度的1/3到1/2,所以分割可以獲得一個干凈的斷裂面,和狹窄的生產和深度激光文士裂縫同時確保高速切割速度,需要激光窄脈沖寬度等優(yōu)良的品質,高光束質量、峰值功率高,高重復率。
并不是所有的激光器都適用于LED切片,因為晶圓材料傳輸到可見波長激光器。GaN是波長小于365 nm的光的透射光,藍寶石晶片是波長大于177 nm的激光器的半透射光,因此波長為355 nm和266 nm的三倍和四倍q開關全固態(tài)激光器(DPSSL)是LED晶體。圓激光切割的最佳選擇。雖然準分子激光器也可以實現LED切割所需的波長,但是倍頻全固態(tài)q開關激光器比準分子激光器更小,需要的維護更少,而且在質量上,全固態(tài)激光刻劃線非常窄,更適合激光LED切割。
激光切割大大降低了晶片微裂紋和微裂紋擴展,使LED電池間距更近,提高了生產效率和生產率。一般來說,一塊2英寸的晶圓片可以分離2萬個以上的LED單元件器件,所以切割的縫隙寬度可以顯著影響分割的數量;降低微裂紋的長期可靠性對于后分裂LED器件將會有明顯的改善。與傳統(tǒng)刀片切割相比,激光切割不僅提高了輸出效率,而且提高了加工速度,避免了刀片磨損造成的加工缺陷和成本損失??傊?,激光加工精度高,加工公差小,成本低。
隨著照明市場的不斷發(fā)展,LED制造業(yè)對產能和產量的要求越來越高。激光切割技術將成為LED制造業(yè)的一項常用技術,甚至成為高亮度LED晶片加工的行業(yè)標準。